GlobalFoundries (GF), qui se décrit comme le fondeur de spécialités leader dans le monde, intente aujourd’hui de multiples actions en justice contre Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. (TSMC) aux États-Unis et en Allemagne, l’accusant d’infractions à 16 brevets.
Les actions en justice ont été déposées auprès de l’US International Trade Commission (ITC), les cours fédérales des districts du Delaware et du district ouest du Texas, ainsi que les cours régionales de Düsseldorf et de Mannheim en Allemagne.
GlobalFoundries exige que les puces fabriquées avec la technologie de TSMC qui viole ses brevets soient interdites d’importation aux États-Unis. Pour cela, GF exige que TSMC divulgue ses clients majeurs, ainsi que les entreprises d’électronique en aval, qui, dans la plupart des cas, sont les importatrices des produits incorporant les infractions de brevets supposées de TSMC.
GF exige aussi des dommages considérables, sur des ventes qui se compteraient en dizaines de milliards.
Gregg Bartlett, vice-président principal en charge de l’ingénierie et de la technologie de GF explique :
« Alors que la fabrication de semi-conducteurs a continué de se déplacer vers l’Asie, GF a résisté à la tendance en investissant massivement dans les industries américaines et européennes des semi-conducteurs, dépensant plus de 15 milliards de dollars au cours de la dernière décennie aux États-Unis et plus de 6 milliards de dollars dans la plus grande usine de fabrication de semi-conducteurs d’Europe. Ces poursuites visent à protéger ces investissements et l’innovation basée aux États-Unis et en Europe qui les alimente. »
Les brevets en question seraient utilisés dans les procédés de fabrication 7, 10, 12, 16 et 28 nm de TSMC.
| Brevet Nr. | Titre | Inventeurs |
|---|---|---|
| US 8,823,178 | Cellule de bit avec structures de couche métallique à double motif | Juhan Kim, Mahbub Rashed |
| US 8,581,348 | Dispositif semi-conducteur avec interconnexions locales de transistor | Mahbub Rashed, Steven Soss, Jongwook Kye, Irene Y. Lin,
James Benjamin Gullette, Chinh Nguyen, Jeff Kim, Marc Tarabbia, Yuansheng Ma, Yunfei Deng, Rod Augur, SeungHyun Rhee, Scott Johnson, Subramani Kengeri Suresh Venkatesan |
| US 9,355,910 | Dispositif semi-conducteur avec interconnexions locales de transistor | Mahbub Rashed, Irene Y. Lin, Steven Soss, Jeff Kim,
Chinh Nguyen, Marc Tarabbia, Scott Johnson, Subramani Kengeri, Suresh Venkatesan |
| US 7,425,497 | Introduction de l’impureté du métal pour changer le fonctionnement des électrodes conductrices | Michael P. Chudzik, Bruce B. Doris, Supratik Guha,
Rajarao Jammy, Vijay Narayanan, Vamsi K. Paruchuri, Yun Y. Wang, Keith Kwong Hon Wong |
| US 8,598,633 | Dispositif semi-conducteur avec une couche de contact fournissant des connexions électriques | Marc Tarabbia, James B. Gullette, Mahbub Rashed
David S. Doman, Irene Y. Lin, Ingolf Lorenz, Larry Ho, Chinh Nguyen, Jeff Kim, Jongwook Kye, Yuansheng Ma Yunfei Deng, Rod Augur, Seung-Hyun Rhee, Jason E. Stephens, Scott Johnson, Subramani Kengeri, Suresh Venkatesan |
| US 6,518,167 | Méthode de formation d’une couche d’interface de nitride de métal ou de métal entre le nitride de silicium et le cuivre | Lu You, Matthew S. Buynoski, Paul R. Besser, Jeremias D. Romero, Pin-Chin, Connie Wang, Minh Q. Tran |
| US 8,039,966 | Structures et méthodes et outils pour former des bouchons métalliques/diélectriques in situ pour les interconnexions | Chih-Chao Yang, Chao-Kun Hu |
| US 7,750,418 | Introduction de l’impureté du métal pour changer le fonctionnement des électrodes conductrices | Michael P. Chudzik, Bruce B. Doris, Supratik Guha, Rajarao
Jammy, Vijay Narayanan, Vamsi K. Paruchuri, Yun Y. Wang, Keith Kwong Hon Wong |
| US 8,936,986 | Méthodes de formation de dispositifs finfet avec une structure de porte partagée | Andy C. Wei, Dae Geun Yang |
| US 8,912,603 | Dispositif semi-conducteur avec des sections d’aileron stressées | Scott Luning, Frank Scott Johnson |
| US 7,378,357 | Structure et méthode FinFET diélectriques multiples | William F. Clark, Jr., Edward J. Nowak |
| US 9,105,643 | Cellule de bit avec les structures de couche en métal à double modèle | Juhan Kim, Mahbub Rashed |
| US 9,082,877 | Dispositif complémentaire de semi-conducteur d’oxyde métallique (CMOS) ayant des structures de porte reliées par un conducteur de porte en métal | Yue Liang, Dureseti Chidambarrao, Brian J. Greene, William K. Henson, Unoh Kwon, Shreesh Narasimha, and Xiaojun Yu |
| DE
102011002769 |
Structure de contact hybride avec des contacts à faible rapport d’aspect dans un dispositif semi-conducteur | Kai Frohberg, Ralf Richter |
| DE
102011004320 |
Transistors complémentaires comprenant des structures d’électrodes de porte métallique high-k et des matériaux de semi-conducteur épitaxiquement formés dans les secteurs de vidange et de source | Gunda Beernink, Markus Lenski |
| DE
102012219375 |
Dispositif semi-conducteur avec interconnexions locales de transistor | Mahbub Rashed, Irene Y. Lin, Steven Soss, Jeff Kim,
Chinh Nguyen, Marc Tarabbia, Scott Johnson, Subramani Kengeri, Suresh Venkatesan |
Traductions: Le Diligent