Les chercheurs d’IBM réalisent une avancée majeure dans le domaine du stockage avec la sauvegarde de 3 bits par cellule

Pour la première fois, des chercheurs d’IBM Research ont réussi à sauvegarder de façon fiable 3 bits de données par cellule de mémoire à changement de phase (PCM), une technologie relativement nouvelle. Ce qu’ils montrent aujourd’hui à Paris lors du huitième séminaire international sur la mémoire de l’IEEE.

Cette technologie pourrait remplacer tant la mémoire vive que les disques durs, voire les SSD. En effet, la mémoire à changement de phase ne perd pas ses données quand elle n’est plus alimentée en électricité, contrairement à la mémoire DRAM. La PCM peut endurer au moins dix millions de cycles d’écriture, contre 3000 cycles pour une clé USB.

Jusqu’ici, on arrivait à stocker un seul bit par cellule.

La PCM utilise le même principe ques les disques Blu-ray réinscriptibles; l’alternance les phases amorphes et cristallines correspond à deux états: basse et haute conductivité électrique.

Mais IBM a développé  une nouvelle mesure physique indépendante de la dérive électrique, qui affecte stabilité de la conductivité électrique d’une cellule, et un nouveau schéma d’encodage et de et de détection, qui renforce la robustesse des données stockées, plus résistantes aux variations de température.

Pour le Dr. Haris Pozidis, en charge de la recherche sur la mémoire non volatile, la PCM est une mémoire universelle qui allie les propriétés de la DRM et du flash.

« L’obtention de 3 bits par cellule est une avancée majeure parce qu’avec cette densité, le coût de la PCM est largement inférieur à celui de la DRAM, et proche de celui de la mémoire flash. »

Les chercheurs envisagent deux applications de la technologie: la PCM indépendante, ou la PCM servant de cache rapide pour un stockage flash. Un téléphone pourrait démarrer en quelques secondes. Les bases de données et les systèmes d’apprentissage automatique seraient sensiblement accélérés.

 

Dans l’immédiat, Intel et Micron devraient mener la révolution avec la mémoire 3D XPoint, 1000 fois plus rapide que la mémoire NAND, 10 fois plus dense et moins cher à produire que la mémoire vive DRAM.