Samsung annonce le démarrage de la production de masse de modules 512, 256 et 128 Go eUFS 3.1 (embedded Universal Flash Storage, stockage flash universel embarqué), qui sera exploitée par les ordiphones haut de gamme.
La principale différence avec le modèle précédent lancé il y a un peu plus d’un an, le module 512 Go eUFS 3.1, est la vitesse d’écriture séquentielle, qui passe de 410 à 1 200 Mo/s – la vitesse séquentielle de lecture atteignant 1 200 Mo/s.
En aléatoire, c’est l’inverse : si la vitesse d’écriture est multipliée par 1,03 à 70 000 IOPS (opérations d’entrées-sorties par seconde), la vitesse de lecture est améliorée par 1,6, pour atteindre 100 000 IOPS.
Il y a quelques années, ces performances auraient été l’apanage des ordinateurs haut de gamme.
Samsung assure qu’elles sont suffisantes pour lire ou écrire des vidéos en 8K.