Micron et Intel ont annoncé aujourd’hui la production et la commercialisation de la technologie 3D NAND à 4 bits par cellule (QLC), une première mondiale.
Avec une structure éprouvée à 64 couches, les deux partenaires produisent un dé d’une capacité d’un térabit, un record de densité pour la mémoire flash.
Micron et Intel ont également progressé sur la structure 3D NAND à 96 couches et 3 bits par cellule (TLC), une augmentation de 50 % du nombre de couches.
Ces deux avancées exploitent la fabrication CuA (CMOS under the array) pour des dés plus petits et des performances améliorées.
La densité supérieure de la technologie 3D NAND à 4 bits va diminuer fortement le coût des tâches intensives en lecture dans le nuage. Elle est également adaptée pour les applications grand public et les applications sur les ordinateurs, en tant que solution de stockage à coût optimisé.
Lors de sa journée pour les analystes et les investisseurs, Micron a présenté le premier SSD à technologie QLC : le Micron 5210 ION SSD. Sa capacité de 1,92 à 7,68 téraoctets dans un facteur de forme 2,5 pouces en fait une alternative aux disques durs traditionnels 3,5 pouces.