IBM et Samsung annoncent conjointement une avancée majeure en conception de semi-conducteurs, avec une architecture de transistors à la verticale qui permettrait de franchir la barre du nanomètre, et qui, potentiellement, pourrait réduire la consommation électrique de 85 % par rapport aux transistors FinFET actuels, et doubler les performances.
Ces nouveaux transistors sont nommés VTFET : transistors à effets de champs à ailettes à transport vertical.
Comme Intel il y a quelques jours, IBM et Samsung présentent leur innovation comme un moyen de faire perdurer la loi de Moore, l’observation selon laquelle la quantité de transistors d’une puce électronique double tous les deux ans.
Les transistors VTFET pourraient être à l’origine d’innovations telles que des téléphones avec une autonomie d’une semaine, et l’expansion de l’internet des objets et des appareils en bordure du nuage qui nécessitent une consommation restreinte d’énergie : véhicules autonomes, fusées, balises dans l’océan.
L’annonce ne mentionne pas si ces transistors à la verticale seront compatibles avec l’empilement vertical de plusieurs couches de transistors. Ni quand le production commencera.
Samsung, qui produit déjà les puces d’IBM en 7 nanomètres, produira ses puces en 5 nanomètres.