SK hynix annonce la production d’un échantillon en état de marche d’un module de mémoire DIMM DDR5 MCR – Multiplexer Combined Ranks (rangs combinés du multiplexeur), qui offrirait une bande passante minimale de 8 Gbps, soit au moins 80 % supérieure à celle des mémoires DDR5 actuelles (4,8 Gbps).
Les modules MCR ont été développés en collaboration avec Intel et Renesas pendant trois ans. Leur principale innovation est la possibilité de lire à partir de deux rangs à la fois grâce à un buffer développé avec Renesas sur des modules MRC basés sur la technologie MCR d’Intel.
Ces modules pourraient ainsi transmettre en une passe 128 octets de données au processeur au lieu de 64:
Ces modules seront sans doute réservés au départ aux serveurs.
SK hynix a l’intention de produire ce nouveau type de mémoire en masse, mais ne précise pas quand.
Pour les processeurs modernes, les entrées et les sorties de données sont le principal gouleau d’étranglement des performances. Les modules MCR permettraient donc de mieux tirer parti de la puissance des processeurs.
Jusqu’ici, la vitesse des mémoires augmente principalement en augmentant leur cadence. Mais comme pour les processeurs, cette stratégie a une limite : la consommation d’électricité et la chaleur émise s’accroissent géométriquement à mesure que les fréquences augmentent.