Lors de la septième édition annuelle de son Samsung Foundry Forum, le fabricant de semi-conducteurs Samsung a mis à jour la feuille de route de son activité de fonderie.
L’entreprise sud-coréenne prévoit de produire en masse avec son procédé 2 nanomètres (SF2) en 2025 pour les puces mobiles, 2026 pour le calcul intensif (SF2P) et 2027 pour l’automobile (SF2A).
Si les délais sont tenus, Samsung devrait démarrer la production de masse en 2 nanomètres en même temps que TSMC (N2), et au moins un an avant Intel (20A).
SF2 offrirait 12 % de performances supplémentaires, 25 % d’amélioration de l’efficience énergétique, et 5 % de réduction de la surface, comparé aux puces fabriquées avec son procédé 3 nanomètres (SF3).
Suivrait une production de masse de puces avec le procédé 1,4 nanomètre (SF1.4) en 2027.
Dès 2025, Samsung démarrera la production de semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN) pour des applications grand public, centres de données et automobile.
Le fondeur développe parallèlement des semi-conducteurs pour les radiofréquences, en particulier la 6G : son procédé 5 nanomètres RF serait disponible au premier semestre 2025, et offrirait une efficience énergétique 40 % supérieure, ainsi qu’une surface 40 % inférieure, à celle des puces produites avec son procédé 14 nanomètres RF.
Il étendra enfin la production de masse de puces mobiles aux applications automobiles avec les procédés 14 nm RF et 8 nm RF.