Samsung Electronics aurait rattrapé son rival Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) dans la production de pointe de puces électroniques, atteignant des rendements comparables pour les nœuds 4 et 3 nanomètres.
Selon un rapport de Hi Investment and Securities, obtenu par des médias locaux coréensj, les rendements de 4 nm de Samsung – le rapport entre les puces utilisables et non utilisables sur une plaquette de silicium – s’élèveraient à environ 80 %. Ce chiffre correspond à ce que les observateurs de l’industrie estiment que TSMC a réussi à atteindre avec son propre processus N4.
Samsung atteindrait des rendements de 60 % sur son nœud 3 nm, qui n’est entré en production que l’année dernière.
Cela signifierait que Samsung a réussi à atteindre des rendements supérieurs à ceux de TSMC. En avril dernier, les analystes estimaient que les rendements de TSMC sur le nœud 3 nm étaient d’environ 55 %.
Toutes ces estimations sont à considérer avec précaution, puisque les fondeurs ne divulguent jamais leurs rendements, qui dépendent de multiples facteurs : taille du die, particularités de la conception, objectifs de performances, etc.
Il est primordial pour Samsung Electronics de combler son retard avec le leader mondial taïwanais, car le chaebol a perdu des grands comptes clé, déçus par la qualité de ses puces, comme Nvidia et Qualcomm, au profit de TSMC.
Pour son nœud 3 nm, TSMC continue d’utiliser des transistors FinFET, une technologie mature, alors que Samsung a pris le risque d’exploiter des transistors GaaFET, qui permettent potentiellement de maximiser la densité des puces en empilant les transistors à la verticale.
Le démarrage des productions en 2 nm est prévu en 2025 pour les deux concurrents, alors que le japonais Rapidus espère tester la production en 2025 et produire en masse en 2027.
Intel promet une production avec son nœud 20A en 2024. Mais l’ex numéro un du secteur des semi-conducteurs a systématiquement accumulé des années de retard pour ses derniers nœuds.