A 2 nm wafer fabricated at IBM Research's Albany facility. The wafer contains hundreds of individual chips. Courtesy of IBM

IBM présente la première puce électronique fabriquée en 2 nanomètres

IBM dévoile aujourd’hui une avancée majeure dans la conception et le procédé de fabrication de semi-conducteurs, avec le développement de la première puce électronique au monde fabriquée avec le procédé 2 nanomètres nanosheet.

Toute chose égale par ailleurs, cette puce devrait obtenir des performances 45 % supérieures, ou une consommation électrique 75 % inférieure à une puce gravée en 7 nanomètres.

Les bénéfices potentiels de la technologie 2 nm pourraient inclure :

  • Quadrupler l’autonomie de batterie d’un téléphone, pour une recharge tous les quatre jours seulement ;
  • Réduire considérablement l’empreinte carbone des centres de données, qui consomment déjà aujourd’hui 1 % de l’énergie globale ;
  • Accélérer fortement les ordinateurs portables : applications plus rapides, traductions automatiques plus précises, accès internet plus rapide ;
  • Contribuer à détecter des objets plus rapidement, tout comme le temps de réaction des voitures autonomes.

Avec la technologie nanosheet, la densité progresse : une puce en 2 nm pourra contenir jusqu’à 50 milliards de transistors sur la surface d’un ongle, soit 333 millions par millimètre carré, à comparer avec 171 en 5 nm TSMC, 95 par Samsung en 7 nm ou 45 par Intel en 14 nm.

IBM fut déjà la première institution de recherche à présenter le 7 nm en 2015, et le 5 nm en 2017. TSMC est le premier fondeur à produire en 5 nm, depuis 2020.

Si IBM ne possède plus de fonderie depuis la vente des siennes à GlobalFoundries en 2014, IBM a toujours conservé son pôle de recherche et de propriété intellectuelle, à Albany, New York. L’entreprise est partenaire de Samsung, et depuis quelques mois de Intel.