Samsung Electronics affirme pouvoir produire avec le procédé de fabrication de puces électroniques 5 nanomètres FinFET basé sur la lithographie extrême ultraviolet (EUV).
Un accomplissement remarquable pour l’usine S3 de Hwaseong en Corée, alors que la concurrence commence à peine à produire en 7 nanomètres, et que Intel reste cantonné aux 14 nanomètres, son procédé 10 nanomètres ayant plus de cinq ans de retard.
Chaque changement de procédé de fabrication de puces électroniques nécessite des dépenses colossales en recherche & développement comme en fabrication de nouvelles unités de production.
D’après Samsung, on peut s’attendre à une réduction de surface de 25 %, des performances en hausse de 10 % ou une réduction de consommation de 20 %, comparé au procédé à 7 nanomètres.
Les clients qui ont développé leur propriété intellectuelle pour le procédé 7 nanomètres pourraient passer au 5 nanomètres sans coûts supplémentaires.
Ce nouveau procédé de fabrication est idéal pour la 5G, l’intelligence artificielle, l’automobile, les robots, etc.
Il sera exploité conjointement à des innovations en architecture de puces, comme le « Smart Diffusion Break ».
Samsung a débuté la construction d’une seconde ligne de production EUV à Hwaseong, qui devrait être terminée au second semestre, et démarrer la production de masse l’an prochain.