Procédé de fabrication 1z nanomètre

Micron affirme être la seule entreprise à démarrer la production de masse de mémoire vive 16 Go DDR4 avec un procédé de fabrication 1z nanomètre.

Ce dernier permet d’augmenter la densité des bits, i.e. réduire le volume occupé par une puce mémoire, d’améliorer ses performances et de réduire son coût, comparé au procédé précédent, 1Y nm. La consommation électrique est réduite de 40 % comparée à une mémoire 8 Go DDR4 de génération précédente.

Plus haute capacité de mémoire monolithique pour les applications mobiles

Séparément, Micron dévoile la mémoire monolithique 16 Go LPDDR4X de plus grande capacité du marché. La mémoire LPDDR4X est une mémoire basse consommation à double vitesse conçue pour les ordiphones.

Elle est fabriquée avec le nouveau procédé 1z, et offre à la fois la plus basse consommation de l’industrie et  la bande passante la plus élevée (4 266 Mbps). On peut assembler jusqu’à 8 dies par unité, pour des capacités comprises entre 64 Go + 3 Go à 256 Go + 8 Go.

D’après Micron, ces (énormes) capacités seraient nécessaires pour cette génération et la prochaine génération d’ordiphones, avec des applications qui utiliseraient de plus en plus de données, et pour les applications qui tireront parti de la haute bande passante de la 5G.